Ein Halbleiterwafer in der CEITEC-Anlage in Porto Alegre. (Quelle: CEITEC)
Homerun Resources Inc. steigt technologisch eine Stufe höher. Der jüngste Schritt führt das Unternehmen in einen Bereich, der für die Zukunft der Leistungselektronik immer wichtiger wird: Siliziumkarbid-(SiC)-Substrate und -Wafer. Heute verkündete Homerun den Abschluss einer Absichtserklärung (MOU) mit CEITEC S.A., dem staatlichen brasilianischen Halbleiterunternehmen. Damit entsteht eine Brücke zwischen Homeruns Strategie auf der Materialseite und Brasiliens wachsendem Anspruch, eigene SiC-Fertigungskapazitäten aufzubauen.
Laut Pressemitteilung soll die Zusammenarbeit auf die Entwicklung, Herstellung und Qualifizierung von SiC-Substraten und -Wafern für Halbleiteranwendungen ausgerichtet sein. Ziel ist es, zum Aufbau einer möglichst vollständigen heimischen SiC-Wertschöpfungskette in Brasilien beizutragen.
Das größere Bild wird dabei immer klarer: Homerun blickt längst nicht mehr nur auf den Rohstoff im Boden, sondern auf den technologischen Weg, über den der eigene Silicansand letztlich den Zugang zur Halbleiterindustrie finden könnte.
Besonders bedeutsam ist dabei, mit wem Homerun zusammenarbeitet. CEITEC ist ein staatliches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Porto Alegre und dem brasilianischen Ministerium für Wissenschaft, Technologie und Innovation zugeordnet. Das Unternehmen verfügt bereits über eigene Halbleiter-Infrastruktur und wird derzeit als wichtiger Baustein für Brasiliens Einstieg in die nächste Generation der Leistungselektronik neu positioniert.
Brasilien investiert bereits erhebliche öffentliche Mittel, um CEITEC für Wide-Bandgap-Halbleiter zu modernisieren, wobei SiC im Zentrum der Strategie steht. Ziel ist es, die heimische Halbleiterindustrie zu stärken, die Abhängigkeit von importierter Technologie zu verringern und einen größeren Teil der durch moderne Fertigung entstehenden Wertschöpfung im Land zu halten.
Für Homerun entsteht damit eine wichtige Verbindung weiter unten in der Halbleiter-Wertschöpfungskette. Das Unternehmen trifft auf ein brasilianisches Umfeld, in dem SiC bereits als strategische Schlüsseltechnologie identifiziert wurde, Produktionskapazitäten ausgebaut werden und staatliche Unterstützung dabei hilft, eine Halbleiterindustrie mit zunehmender technologischer und industrieller Tiefe aufzubauen.
Die Chance für Homerun besteht somit darin, den eigenen hochreinen Quarzsand schrittweise weiterzuverarbeiten – hin zu SiC-Substraten und -Wafern und letztlich zu Anwendungen in der Halbleiterindustrie innerhalb Brasiliens.
CEITEC: Brasiliens staatliches Halbleiterunternehmen
CEITEC, kurz für Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada, wurde 2008 per Präsidialdekret als staatliches Unternehmen gegründet, um den Aufbau der brasilianischen Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie zu unterstützen.
Im Laufe der Jahre hat das Unternehmen integrierte Schaltkreise für Anwendungen wie RFID, Identifikation, Authentifizierung, Logistik und die Nachverfolgung von Gütern entwickelt und hergestellt. Diese operative Historie verschafft CEITEC praktische Fertigungserfahrung, die weit über reine Forschungs- und Laborarbeit hinausgeht.
SEMI, ein internationaler Branchenverband der Halbleiterindustrie, führt CEITEC als Hersteller von Halbleiterbauelementen und beschreibt das Unternehmen als Teil der brasilianischen Bemühungen, eigene Kompetenzen in der Mikroelektronik aufzubauen.
Auch die jüngere Geschichte von CEITEC zeigt, welchen höheren Stellenwert die Halbleiterfertigung inzwischen auf Brasiliens politischer Agenda einnimmt. Ein 2021 eingeleiteter Privatisierungs- und Auflösungsprozess wurde später ausgesetzt und schließlich rückgängig gemacht. Damit wurde CEITEC wieder in seine Rolle als strategisches Staatsunternehmen zurückgeführt. Für Homerun ist die neue Ausrichtung besonders relevant, weil Brasilien CEITEC nun gezielt in einem technologisch anspruchsvolleren Bereich positioniert: Bei Leistungsbauelementen auf Basis von Wide-Bandgap-Materialien wie SiC.
Der CEITEC-Geschäftsbericht 2024 beschreibt ein staatlich unterstütztes Technologieprojekt, mit dem die Fertigung von SiC-Leistungsbauelementen in Brasilien etabliert werden soll. Das Programm soll sowohl die heimische Halbleiterproduktion als auch Forschung und Entwicklung stärken und CEITEC in einen Technologiebereich führen, der für Elektrifizierung, Energieeffizienz und Dekarbonisierung zunehmend an Bedeutung gewinnt.
Brasilien investiert massiv in Siliziumkarbid
Das Ausmaß des brasilianischen Engagements liefert einen wichtigen Hintergrund für Homerun. Das SiC-Programm von CEITEC hat ein Gesamtvolumen von 220,36 Mio. BRL (aktuell ca. 43 Mio. USD). Die Mittel sind für die Anpassung und Modernisierung der bestehenden industriellen Plattform vorgesehen.
Nach Angaben von CEITEC fließt das Kapital in die Reparatur und Modernisierung vorhandener Produktionsanlagen, die Anschaffung neuer Maschinen, den Umbau von Reinräumen, den Erwerb von Technologie sowie in die Einführung jener Fertigungsprozesse, die für die neue SiC-Produktionslinie erforderlich sind. Damit erhält das Programm einen klar industriellen Charakter: Investiert wird sowohl in die physische Produktionsinfrastruktur als auch in die dafür notwendige technologische Kompetenz.
Die Investitionen zeigen, dass CEITECs Einstieg in SiC Teil eines umfassenderen Industrieprogramms ist und weit über ein reines Forschungsprojekt hinausgeht. Brasilien will Fähigkeiten in einem Bereich aufbauen, der bislang auf vergleichsweise wenige Länder und Unternehmen konzentriert ist, und gleichzeitig einen größeren Teil der Halbleiter-Wertschöpfung im eigenen Land halten. Dazu gehören Materialien, Verarbeitungskompetenz und Fertigungsinfrastruktur, die gemeinsam die Grundlage für ein stärkeres heimisches Halbleiter-Ökosystem bilden.
Vor diesem Hintergrund gewinnt die Zusammenarbeit zwischen Homerun und CEITEC zusätzlich an Bedeutung. Laut der heute veröffentlichten News soll CEITEC technische Anforderungen für Halbleiteranwendungen, Fertigungskompetenz und Validierungsmöglichkeiten einbringen, während Homerun an hochreinen SiC-Materialien, Substraten und Wafern sowie an den notwendigen Verarbeitungsschritten arbeiten will, um diese Materialien bis hin zu halbleitertauglichen Spezifikationen weiterzuentwickeln.
Diese Verbindung könnte besonders dann an Bedeutung gewinnen, wenn Homerun den Schritt über die reine Bereitstellung hochreiner Rohstoffe hinaus schafft. Halbleitermaterialien müssen letztlich exakt jene Anforderungen erfüllen, die von den darauf gefertigten Bauelementen gestellt werden. Die direkte Zusammenarbeit mit einem nachgelagerten Halbleiterhersteller kann Homerun daher konkrete technische Zielgrößen dafür liefern, welche Eigenschaften die eigenen Materialien erreichen müssen.
SiC: Gemacht für höhere Leistung
Nahezu jedes moderne elektrifizierte System ist auf Leistungselektronik angewiesen. Diese Halbleiter schalten, wandeln und steuern elektrische Energie und sorgen dafür, dass Strom effizient zwischen Batterien, Motoren, Stromnetzen, erneuerbaren Energiesystemen und elektronischen Geräten fließen kann. Ihre Bedeutung wächst, je höher die Leistungsanforderungen in Fahrzeugen, Industrie und Energiesystemen werden. Mit steigender Leistungsdichte gewinnen Effizienz, Wärmemanagement und die Fähigkeit, anspruchsvolle elektrische Bedingungen zu beherrschen, zunehmend an Bedeutung.
SiC ist besonders attraktiv, weil es sich um einen Wide-Bandgap-Halbleiter handelt und damit unter Bedingungen eingesetzt werden kann, bei denen konventionelles Silizium zunehmend an Grenzen stößt. Im Vergleich zu klassischen Silizium-Leistungsbauelementen können SiC-Bauelemente und Module bei höheren Spannungen, Temperaturen und Schaltfrequenzen arbeiten, während gleichzeitig Verluste reduziert und kompaktere Systeme ermöglicht werden. Dadurch können Kühlanforderungen sinken, die Leistungsdichte steigen und die Energieumwandlung effizienter werden. Diese Eigenschaften haben SiC zunehmend wichtig gemacht; u.a. in Elektrofahrzeugen, Ladeinfrastruktur, Wechselrichtern für erneuerbare Energien, Energiespeichern, industriellen Anwendungen und leistungsstarken Stromversorgungssystemen.
Der kommerzielle Markt ist bereits erheblich und wächst weiter mit hoher Geschwindigkeit. Die Yole Group erwartet, dass der weltweite Markt für Power-SiC bis 2031 auf 11 Mrd. USD anwächst, was zwischen 2025 und 2031 einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 20% entspricht. Als wichtigste Treiber der nächsten Wachstumsphase sieht das Marktforschungsunternehmen eine breitere Kombination aus 800-V-Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien, industriellen Anwendungen, Rechenzentren und weiteren Investitionen in die 200-mm-SiC-Fertigung.
Eine weitere Marktstudie von Mordor Intelligence aus dem Jahr 2026 beziffert den Markt für SiC-Leistungshalbleiter auf 3,41 Mrd. USD und erwartet bis 2031 ein Wachstum auf 10,26 Mrd. USD. Das entspricht einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von knapp 25%. Je nachdem, wie der Markt abgegrenzt wird, fallen die Prognosen unterschiedlich aus. Die Richtung ist jedoch eindeutig: SiC gewinnt in der Hochleistungselektronik zunehmend an Bedeutung.
Über Elektrofahrzeuge hinaus
Elektrofahrzeuge sind heute weiterhin der größte kommerzielle Absatzmarkt für SiC. Mordor Intelligence schätzt, dass Anwendungen im Automobilbereich im Jahr 2025 ca. 61% des weltweiten Umsatzes mit SiC-Leistungshalbleitern ausmachten. Dazu zählen unter anderem Traktionswechselrichter, Onboard-Ladegeräte, DC-DC-Wandler und die Ladeinfrastruktur. Dieselbe Studie geht davon aus, dass Schnellladeinfrastruktur bis 2031 zu den am schnellsten wachsenden Anwendungsbereichen der Branche zählen wird. Gleichzeitig beginnt sich diese starke Konzentration auf den Automobilsektor zu lockern, da SiC zunehmend auch in anderen Hochleistungsanwendungen eingesetzt wird.
Gleichzeitig wird der Markt breiter und vielfältiger. Anlagen für erneuerbare Energien benötigen immer effizientere Leistungselektronik, Batteriespeicher leistungsfähige bidirektionale Wandler und Industrieunternehmen elektrifizieren Prozesse, die bislang auf mechanischen Lösungen oder fossilen Energieträgern basierten. Auch KI-Rechenzentren entwickeln sich zu einem wichtigen neuen Nachfragetreiber. Ihre enormen Stromanforderungen zwingen Betreiber dazu, die Verteilung und Umwandlung elektrischer Energie innerhalb immer dichter bestückter Rechenzentren neu zu denken. Diese breitere Nachfragebasis könnte für das weitere Wachstum des SiC-Marktes zunehmend an Bedeutung gewinnen.
Diese Diversifizierung ist wichtig, weil sie die Abhängigkeit der Branche vom Automobilzyklus verringert, der den ursprünglichen Investitionsboom bei SiC maßgeblich angetrieben hat. Auch der jüngste Ausblick von Yole hebt neben Elektrofahrzeugen insbesondere erneuerbare Energien, industrielle Anwendungen und KI-Rechenzentren als wichtige Treiber der nächsten Wachstumsphase hervor.
Elektrofahrzeuge und ultraschnelles Laden
Die Automobilindustrie war einer der wichtigsten Treiber für die kommerzielle Verbreitung von SiC. Der Übergang zu 800-V-Fahrzeugarchitekturen macht eine besonders effiziente Leistungsumwandlung zunehmend wichtig, da höhere Spannungen schnelleres Laden ermöglichen und gleichzeitig die Verluste im Antriebsstrang reduzieren können. Dadurch lässt sich die Effizienz von Elektrofahrzeugen verbessern, während zugleich kürzere Ladezeiten an leistungsstarken Schnellladestationen möglich werden. SiC hat sich deshalb zu einem immer wichtigeren Material für Traktionswechselrichter, Onboard-Ladegeräte und leistungsstarke Ladesysteme entwickelt.
Die Branche bewegt sich bereits in Richtung immer höherer Spannungsebenen. Aktuelle Marktstudien zeigen, dass sich Hersteller von Elektrofahrzeugen zunehmend auf 800-V-Systeme konzentrieren, bei denen SiC besonders attraktive Leistungseigenschaften bietet. Diese Entwicklung spiegelt sich bereits im Markt wider: Laut Mordor Intelligence entfielen 2025 mehr als die Hälfte der weltweiten Umsätze mit SiC-Leistungshalbleitern auf den Spannungsbereich von 600 bis 900 V.
Auch CEITEC hat Steuerungssysteme für Elektrofahrzeuge als einen der vorgesehenen Anwendungsbereiche seines SiC-Fertigungsprogramms identifiziert. Damit entsteht in Brasilien eine mögliche Verbindung zwischen fortschrittlichen SiC-Materialien und einem der am schnellsten wachsenden Bereiche der modernen Mobilitätstechnologie.
Solarenergie, Energiespeicher und das moderne Stromnetz
Für Homerun ist die Verbindung zu erneuerbaren Energien besonders interessant, weil sie die SiC-Strategie mit dem bereits bestehenden Solargeschäft des Unternehmens verknüpft. Ein Photovoltaikmodul erzeugt Gleichstrom, doch bevor dieser von den meisten Verbrauchern genutzt oder in das Stromnetz eingespeist werden kann, muss er umgewandelt werden. Diese Aufgabe übernehmen Leistungshalbleiter in Solarwechselrichtern. Batteriespeicher wiederum benötigen sowohl beim Laden als auch beim Entladen eine hocheffiziente Leistungsumwandlung.
SiC kann insbesondere bei hohen Spannungen die Effizienz und Leistungsdichte dieser Systeme verbessern. Dadurch wird die Technologie zunehmend interessant für große Solarparks, Energiespeicher und Netzanwendungen, bei denen selbst kleine Verbesserungen beim Wirkungsgrad über große Anlagen hinweg zu erheblichen Energieeinsparungen führen können.
CEITEC nennt Systeme zur Umwandlung von Solarenergie ausdrücklich als einen der vorgesehenen Einsatzbereiche seiner geplanten SiC-Leistungsbauelemente. Für Homerun ergibt sich daraus eine interessante Verbindung innerhalb der eigenen Gesamtstrategie: Der hochreine Quarzsand des Unternehmens könnte die Energiewende auf 2 Ebenen unterstützen – über Solarglas und über fortschrittliche Materialien für jene Leistungselektronik, die den von diesen Anlagen erzeugten Strom steuert und umwandelt.
Diese Verbindung gewinnt weiter an Bedeutung, wenn Solarenergie und Energiespeicher weltweit weiter ausgebaut werden. SiC findet zunehmend im Hochspannungsbereich des Leistungshalbleitermarktes Anwendung, wo konventionelles Silizium an Effizienz verliert und die Vorteile von Wide-Bandgap-Materialien deutlicher zum Tragen kommen.
KI-Rechenzentren werden zu einem neuen Wachstumstreiber für SiC
Der Boom bei KI-Infrastruktur schafft einen neuen Wachstumsmarkt für Leistungshalbleiter. Bei künstlicher Intelligenz stehen meist GPUs, Speicherchips und optische Datenübertragung im Mittelpunkt. Doch die Stromversorgung, die notwendig ist, um diese Systeme überhaupt zu betreiben, entwickelt sich zunehmend zu einer ebenso großen technologischen Herausforderung.
Große KI-Rechenzentren verbrauchen enorme Mengen an Strom. Bevor diese Energie die Prozessoren erreicht, muss sie mehrere Stufen der Umwandlung und Verteilung durchlaufen. Mit steigender Rechendichte führen elektrische Verluste zu immer mehr Abwärme und erhöhen gleichzeitig den Druck auf die Kühlsysteme. Eine höhere Effizienz entlang der gesamten Stromversorgungskette gewinnt deshalb zunehmend an Bedeutung, während KI-Racks der nächsten Generation in deutlich höhere Leistungsbereiche vorstoßen.
- Aktuelle Branchenmeldungen zeigen, wie schnell SiC in die KI-Infrastruktur Einzug hält: Im August 2026 kündigten Wolfspeed und LITEON eine Zusammenarbeit für Hyperscale-KI-Rechenzentren der nächsten Generation mit 800-VDC-Stromarchitekturen an. Die SiC-Technologie von Wolfspeed wurde für LITEONs 800-VDC-Sidecar-Stromplattform sowie für Stromversorgungssysteme von Compute-Racks qualifiziert. Beide Unternehmen verweisen dabei ausdrücklich auf die Skalierbarkeit von Wolfspeeds 200-mm-SiC-Fertigungsplattform.
- Auch die eigenen Finanzzahlen von Wolfspeed liefern einen weiteren Hinweis auf diesen Trend: Das Unternehmen berichtete, dass sich die Umsätze mit KI-Rechenzentren im Geschäftsjahr 2026 gegenüber dem Vorjahr mehr als verdoppelt haben, und bezeichnete Rechenzentren als den am schnellsten wachsenden Endmarkt des Unternehmens (wenn auch von einer im Vergleich zum Gesamtgeschäft noch kleineren Basis ausgehend).
- Infineon und Siemens verkündeten im Juni 2026 ebenfalls eine Zusammenarbeit. Dabei kommen SiC-Leistungsmodule in Halbleiter-Leistungsschaltern für Rechenzentren, Fabriken und Batteriespeichersysteme zum Einsatz. Ziel ist es, Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit elektrischer Schutzsysteme zu verbessern.
- Der Trend setzt sich fort: Am 9. September 2026 gaben Infineon und SolarEdge eine Ausweitung ihrer Zusammenarbeit bei Solid-State-Leistungsschaltern für 800-VDC-Architekturen in KI-Rechenzentren bekannt. Damit sollen schnellere elektrische Schutzmechanismen und eine effizientere durchgängige Gleichstromverteilung vom Netzanschluss bis zu den Compute-Racks ermöglicht werden.
Diese Entwicklungen zeigen, dass SiC inzwischen in einen weiteren großen Infrastrukturmarkt vordringt. Der Ausbau der KI-Infrastruktur benötigt weit mehr als nur Rechenchips. Zunehmend gefragt sind auch Technologien, die enorme Strommengen effizient, zuverlässig und bei sehr hohen Leistungsdichten bereitstellen können.
Der Weg zu hochreinem SiC in Halbleiterqualität
SiC ist kein neues Material. Industrielles Siliziumkarbid wird seit mehr als einem Jahrhundert unter anderem in Schleifmitteln, Keramiken, Feuerfestmaterialien und anderen Hochtemperaturanwendungen eingesetzt. SiC in Halbleiterqualität stellt jedoch deutlich höhere Anforderungen. Reinheit, Kristallqualität, Defektdichte und gleichbleibende Materialeigenschaften werden entscheidend, weil bereits kleine Unregelmäßigkeiten die Leistungsfähigkeit der späteren Bauelemente beeinträchtigen können.
Die Herstellung eines Halbleiterwafers umfasst weit mehr als lediglich die Produktion von SiC-Pulver. Zunächst müssen unter streng kontrollierten Bedingungen Einkristalle gezüchtet werden. Diese werden anschließend in Wafer geschnitten und auf anspruchsvolle Spezifikationen hin poliert, bevor darauf Halbleiterbauelemente hergestellt werden können.
Die vereinfachte Materialkette sieht so aus:
Hochreiner Silicasand–> Silizium (silicon) –> hochreines SiC-Material –> Einkristallzüchtung –> SiC-Boule –> Wafer-Sägen und -Polieren –> Epitaxie –> Halbleiterbauelement
Mit jedem Schritt steigen die technischen Anforderungen, die notwendige Prozesskontrolle und der Kapitalbedarf. Gleichzeitig kann der Wert des Materials deutlich zunehmen, weil immer weniger Produzenten in der Lage sind, die Spezifikationen für Halbleiteranwendungen zu erfüllen.
Genau an diesem Punkt wird Homeruns Strategie für fortschrittliche Materialien besonders interessant. Die Chance des Unternehmens könnte weniger davon abhängen, wie viel Silicasand es fördern kann, sondern vielmehr davon, wie weit dieses Material innerhalb Brasiliens veredelt werden kann, bevor es das Land verlässt.
Silicasand bildet den Ausgangspunkt. Darauf folgen Reinigung, Silizium und zunehmend höherwertige SiC-Materialien. Noch weiter unten in der Wertschöpfungskette stehen Einkristalle und qualifizierte Wafer: Bereiche, in denen die technische Leistungsfähigkeit zunehmend über den wirtschaftlichen Wert entscheidet.
Die strategische Rolle von SiC-Substraten und -Wafern
Das SiC-Substrat bildet die physische Grundlage, auf der das Halbleiterbauelement aufgebaut wird. Defekte im Kristall können sowohl die Leistungsfähigkeit des Bauelements als auch die Ausbeute in der Fertigung beeinträchtigen. Damit werden Kristallzüchtung und Waferbearbeitung zu entscheidenden Schritten im gesamten Herstellungsprozess.
Dadurch kommt dem Substrat eine Bedeutung zu, die weit über seine eigentliche Größe hinausgeht: Seine Qualität kann mitentscheiden, wie viele funktionsfähige Bauelemente letztlich aus einem Wafer hervorgehen und wie zuverlässig diese später arbeiten. Das ist einer der Gründe, warum die SiC-Industrie traditionell stärker vertikal integriert ist als die konventionelle Siliziumindustrie. Große Hersteller versuchen, möglichst viele Stufen selbst zu kontrollieren (von der Kristallzüchtung über die Substratherstellung und Epitaxie bis hin zur Fertigung der eigentlichen Bauelemente). Denn Schwächen auf der Materialseite können sich direkt auf Leistung, Ausbeute und Wirtschaftlichkeit des fertigen Halbleiters auswirken.
Die Zusammenarbeit zwischen Homerun und CEITEC setzt damit an einem technisch besonders wichtigen Abschnitt der Wertschöpfungskette an. Laut Pressemitteilung will Homerun die Verarbeitung der Rohstoffe sowie jene Fertigungsschritte entwickeln und koordinieren, die mit SiC-Substraten und -Wafern in Halbleiterqualität verbunden sind. CEITEC soll im Gegenzug technische Spezifikationen, Erfahrung in der Halbleiterfertigung und Unterstützung bei der technischen Validierung einbringen.
Für einen Materialentwickler wie Homerun kann es äußerst wertvoll sein, frühzeitig genau zu verstehen, welche Anforderungen ein Halbleiterhersteller tatsächlich stellt. Dadurch kann sich die Entwicklungsarbeit gezielt auf Spezifikationen konzentrieren, die später für eine kommerzielle Nutzung und Kundenqualifizierung relevant sind, anstatt Reinheits- oder Prozessziele isoliert zu verfolgen. Diese direkte Rückkopplung kann helfen, Forschung und Prozessentwicklung von Beginn an enger an realen industriellen Fertigungsanforderungen auszurichten.
Der globale Wettlauf um 200-mm-SiC
Eines der deutlichsten Zeichen für die technologische Entwicklung der Branche ist der Übergang von 150-mm- bzw. 6-Zoll-Wafern hin zu größeren 200-mm- bzw. 8-Zoll-Wafern. Größere Wafer ermöglichen es, mehr Chips aus einem einzelnen Substrat herzustellen und können mit steigender Ausbeute die Fertigungskosten senken.
Für die Hersteller liegt der Vorteil auf der Hand: In jedem Produktionsdurchlauf steht mehr nutzbare Chipfläche zur Verfügung, wodurch sich die fixen Prozesskosten auf eine größere Zahl von Bauelementen verteilen lassen.
Die Investitionen in diesen Technologiewechsel sind erheblich:
- STMicroelectronics baut in Catania, Italien, einen integrierten SiC-Campus auf, der Substratentwicklung, Epitaxie, 200-mm-Front-End-Waferfertigung, Packaging sowie Forschung und Entwicklung an einem Standort zusammenführt. Im Endausbau soll die Anlage nach Angaben des Unternehmens eine Kapazität von bis zu 15.000 Wafern pro Woche erreichen.
- Auch die jüngste Generation von SiC-MOSFETs von Wolfspeed wird inzwischen auf der qualifizierten 200-mm-Fertigungsplattform des Unternehmens produziert. Nach Angaben von Wolfspeed bietet die größere Plattform den Kunden einen skalierbaren Weg hin zu SiC-Produkten der nächsten Generation für Automobil- und Industrieanwendungen und soll gleichzeitig höhere Produktionsvolumen sowie langfristig bessere Fertigungsökonomien ermöglichen.
Der Übergang zu 200 mm befindet sich allerdings noch in einer frühen Phase. Mordor Intelligence schätzt, dass 150-mm-Substrate im Jahr 2025 noch mehr als 72% des Marktes für SiC-Leistungshalbleiter ausmachten, während 200-mm-Wafer zu den wichtigsten Wachstumsfeldern der Branche zählen. Für neue Marktteilnehmer steigt damit die technische Messlatte. Die Kristallqualität muss besser werden, die Zahl der Defekte sinken, die Waferdurchmesser werden größer und gleichzeitig reduzieren etablierte Hersteller mit zunehmender Skalierung ihre Produktionskosten.
Diese Entwicklung macht es umso wichtiger, die zugrunde liegenden Materialien und Verarbeitungstechnologien bereits frühzeitig zu beherrschen, bevor die Fertigung in großem Maßstab beginnt.
Regierungen behandeln SiC als strategische Technologie
Brasiliens Unterstützung für CEITEC passt in einen breiteren internationalen Trend. Regierungen betrachten Wide-Bandgap-Halbleiter zunehmend als strategisch wichtige Technologien, weil sie in Energieinfrastruktur, Verkehr, fortschrittlicher Fertigung und im Verteidigungsbereich immer wichtiger werden. In dem Maße, wie Länder um den Zugang zu kritischen Technologieschöpfungsketten konkurrieren, gewinnt auch der heimische Zugang zu modernen Leistungshalbleitern für industrielle Widerstandsfähigkeit und technologische Unabhängigkeit an Bedeutung.
- Im Juni 2026 stellte das US-Handelsministerium im Rahmen des CHIPS-R&D-Programms 250 Mio. USD für I-Pulse bereit, um SiC-Halbleiter der nächsten Generation zu entwickeln, die unter extremen Hochtemperatur-, Hochstrom- und Hochspannungsbedingungen arbeiten können. Das Programm umfasst die Zusammenarbeit mit staatlichen Laboren, Universitäten und spezialisierten Herstellern.
- Nur wenige Wochen später kündigte das US-Handelsministerium eine weitere große SiC-Investition an: Bis zu 225 Mio. USD an CHIPS-Fördermitteln für Bosch zur Unterstützung des geplanten Umbaus des Standorts Roseville in Kalifornien in ein hochmodernes SiC-Halbleiterwerk mit einem Gesamtprojektvolumen von 2 Mrd. USD. Bosch erwartet, dass der Standort zur weltweit größten SiC-Fertigungsanlage des Unternehmens wird.
- Der Trend reicht inzwischen auch in immer anspruchsvollere Anwendungsfelder hinein: Im Juni 2026 kündigten GE Aerospace und Wolfspeed eine Zusammenarbeit bei Hochvolt-SiC-Lösungen an, darunter 10-kV-MOSFETs. Mögliche Einsatzbereiche reichen von industrieller Elektrifizierung über Luft- und Raumfahrt bis hin zu Verteidigung und Energieinfrastruktur im Umfeld von KI. Diese breitere Anwendungsbasis ist ein wesentlicher Grund dafür, warum Regierungen SiC längst nicht mehr als gewöhnliche Halbleitertechnologie betrachten.
Diese Investitionen zeigen, wie strategisch wichtig SiC inzwischen geworden ist. SiC wird zunehmend Teil nationaler Industriestrategien, weil effiziente Leistungselektronik immer stärker im Zentrum von Elektrifizierung, der Integration erneuerbarer Energien, KI-Infrastruktur und fortschrittlicher Fertigung steht.
Der Wettbewerb dreht sich daher längst nicht mehr nur um die Produktion von Bauelementen. Es geht ebenso darum, sich Materialien, Fertigungs-Know-how, Infrastruktur und qualifizierte Lieferketten zu sichern, die notwendig sind, um diese Bauelemente im großen Maßstab herstellen zu können.
Brasilien rückt in der Halbleiter-Wertschöpfungskette weiter nach oben
Die Neuausrichtung von CEITEC ist Teil einer umfassenderen brasilianischen Strategie, Halbleiterfertigung, Forschung und Technologie stärker im eigenen Land aufzubauen. Die Logik dahinter ist einfach: Halbleiter sind für Fahrzeuge, Telekommunikation, erneuerbare Energien, industrielle Automatisierung, Verteidigung, Medizintechnik und digitale Infrastruktur unverzichtbar. Eine hohe Abhängigkeit von ausländischen Lieferanten schafft daher sowohl wirtschaftliche als auch strategische Risiken.
Brasiliens heutige Ausgangslage zeigt, warum dieses Ziel industriepolitisch so wichtig geworden ist:
- Laut dem Branchenüberblick 2026 von ABINEE importierte Brasilien im Jahr 2025 Halbleiter im Wert von 5,96 Mrd. USD, nach 6,31 Mrd. USD im Jahr 2024. Damit zählen Halbleiter zu den größten Importkategorien innerhalb der brasilianischen Elektro- und Elektronikindustrie.
- Gleichzeitig schätzt Finep, dass die heimische Halbleiterindustrie 2026 einen Umsatz von rund 2,5 Mrd. USD erzielen wird.
- Die Halbleiterimporte liegen damit weiterhin deutlich über den Umsätzen der heimischen Industrie und unterstreichen Brasiliens anhaltende Abhängigkeit von ausländischer Versorgung.
Brasilien will jedoch mehr erreichen, als lediglich mehr Chips im eigenen Land zu produzieren: Das Land möchte einen größeren Anteil der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette abdecken. Finep zufolge soll Brasiliens Anteil an der weltweiten Halbleiterindustrie von derzeit rund 1% auf etwa 2% bis 2033 steigen und sich damit faktisch verdoppeln. Dafür reichen neue Chipfabriken allein nicht aus. Brasilien benötigt auch Kompetenzen in den Bereichen Materialien, Verarbeitung, Fertigungsausrüstung, Chipdesign, Packaging, Forschung und Qualifizierung. Ein solches breiteres Ökosystem ist entscheidend, wenn mehr technologisches Know-how und wirtschaftliche Wertschöpfung im Land verbleiben sollen. Werden diese Fähigkeiten zudem rund um heimische Rohstoffe aufgebaut, kann daraus ein zusätzlicher Vorteil entstehen, weil Rohstoffsicherheit mit zunehmend anspruchsvoller Fertigungskompetenz verbunden wird.
Genau hier könnte Homeruns Strategie in das größere Bild passen. Brasilien verfügt über umfangreiche mineralische Rohstoffe und erneuerbare Energien, doch ein erheblicher Teil der Wertschöpfung aus der Weiterverarbeitung dieser Ausgangsstoffe zu fortschrittlichen Technologieprodukten ist historisch außerhalb des Landes entstanden. Eine hochreine Silicasand-Lagerstätte in Bahia wird deutlich interessanter, wenn das Material innerhalb Brasiliens zu gereinigtem Silicasand, Silizium, SiC, Substraten und Wafern weiterverarbeitet werden kann, anstatt das Land überwiegend als Rohstoff zu verlassen.
Für Homerun passt diese Chance daher eng zu Brasiliens übergeordnetem industriepolitischem Ziel. Je mehr Wertschöpfung zwischen Mine und fertigem Technologieprodukt im eigenen Land geschaffen werden kann, desto größer kann auch die strategische Bedeutung der zugrunde liegenden Ressource werden. Gleichzeitig könnte dadurch ein größerer Teil der wirtschaftlichen Wertschöpfung des Materials in Brasilien verbleiben. Homeruns Bestreben, Silicasand schrittweise in immer anspruchsvollere Halbleitermaterialien weiterzuentwickeln, steht damit im Einklang mit dem nationalen Ziel, Brasiliens Position in technologisch höherwertigen Bereichen der Wertschöpfungskette zu stärken.
Silicasand wird zur Technologie
Homeruns Geschichte beginnt mit einer außergewöhnlich starken Rohstoffbasis. Die Quarzsand-/Silicasand-Vorkommen des Unternehmens in Bahia verbinden eine sehr hohe Reinheit mit äußerst niedrigen Eisengehalten und einer gleichmäßigen chemischen Zusammensetzung: Eigenschaften, die umso wichtiger werden, je weiter das Material zu anspruchsvolleren Technologieprodukten verarbeitet wird. Bei SiC in Halbleiterqualität sind die Kontrolle von Verunreinigungen, die Kristallqualität und eine gleichbleibende Materialqualität entscheidend. Die Qualität des Ausgangsmaterials wirkt sich daher direkt auf alle nachfolgenden Schritte aus (von Reinigung und Kristallzüchtung bis hin zur Waferqualität und letztlich zur Leistungsfähigkeit des fertigen Bauelements).
Das ist deshalb wichtig, weil die spätere Qualität von SiC in Halbleiterqualität schon lange vor der eigentlichen Waferproduktion beeinflusst wird. Die Kontrolle von Verunreinigungen beginnt bereits beim Ausgangsmaterial selbst. Je weiter die Verarbeitung fortschreitet, desto wichtiger werden daher Reinheit und gleichbleibende Qualität des ursprünglichen Silicasand.
Genau darin sieht Homerun einen möglichen Wettbewerbsvorteil. Weltweit gibt es nur eine begrenzte Zahl von Quarzsand-Lagerstätten, die jene Kombination aus Reinheit und gleichbleibender Qualität bieten, die für anspruchsvolle Weiterverarbeitung erforderlich ist. Homeruns Quarzsand gehört nach Einschätzung des Unternehmens zu dieser ausgewählten Gruppe und bietet damit eine seltene Ausgangsbasis für den weiteren Weg in die Silizium- und SiC-Wertschöpfungskette.
Solarglas war die erste große industrielle Chance, die sich aus dieser Ressource ergeben hat, und bleibt ein zentraler Bestandteil von Homeruns Entwicklungsstrategie. Doch genau jene Eigenschaften, die das Material für hochwertiges Solarglas attraktiv machen, öffnen nun zugleich die Tür zu einer deutlich breiteren Geschichte rund um fortschrittliche Materialien.
Die Zusammenarbeit des Unternehmens mit der University of California, Davis bei fortschrittlichen Reinigungsverfahren hat den Blick anschließend auf Materialien mit noch deutlich höherer Reinheit gelenkt. Der technologische Entwicklungspfad reicht inzwischen von Fused Silica über Silizium und SiC bis hin zu Halbleitersubstraten und Wafern. Mit jedem zusätzlichen Verarbeitungsschritt könnten sich stärker spezialisierte und höherwertige Technologiemärkte erschließen.
Diese Märkte unterscheiden sich deutlich von klassischen Industriemineral-Märkten. Entscheidend sind hier Verarbeitungstechnologie, geistiges Eigentum, Materialcharakterisierung, Qualifizierung und gleichbleibende Fertigungsqualität. Je weiter das Material die Wertschöpfungskette hinab wandert, desto weniger zählen Tonnen und desto wichtiger werden Kristallqualität, Defektdichte, Wafer-Spezifikationen und die Leistungsfähigkeit der späteren Bauelemente.
Die Zusammenarbeit mit CEITEC ergänzt diese Entwicklung um eine wichtige Verbindung zur Halbleiterindustrie. Homerun erhält damit die Möglichkeit, mit einem brasilianischen Halbleiterhersteller zusammenzuarbeiten, dessen eigene Infrastruktur derzeit für die Produktion von SiC-Leistungsbauelementen ausgebaut wird. So entsteht eine Schnittstelle zwischen Homeruns Materialstrategie und den konkreten Anforderungen einer realen Halbleiterfertigung. Die Zusammenarbeit mit CEITEC kann Homerun klarere technische Zielgrößen dafür liefern, welche Eigenschaften die zu entwickelnden Materialien erreichen müssen. Gerade in einem Bereich, in dem bereits kleine Unterschiede bei Reinheit, Kristallqualität und Konsistenz darüber entscheiden können, ob ein Material kommerziell einsetzbar ist, kann das von erheblichem Wert sein.
Ein strategischer Schritt in Richtung Industrialisierung
Das 3-jährige MOU bildet den Ausgangspunkt für die Zusammenarbeit. Laut Pressemitteilung wollen die Unternehmen gemeinsame Projekte identifizieren, technische Anforderungen definieren, Fertigungsmöglichkeiten prüfen, bei Bedarf zusätzliche Technologiepartner einbinden und einen Fahrplan in Richtung möglicher Qualifizierung, Skalierung und Industrialisierung entwickeln.
Die Unternehmen beabsichtigen, das übergeordnete MOU über strukturierte Arbeitspläne in separaten Kooperationsvereinbarungen zu konkretisieren. Aus dem allgemeinen Rahmen könnten so klar definierte technische Programme mit messbaren Entwicklungsmeilensteinen entstehen.
Darüber hinaus wollen beide Seiten zusätzliche Technologiepartner identifizieren und für einzelne technische Projekte nationale wie internationale Fördermittel erschließen. Auf diese Weise könnten verschiedene Teile der SiC-Entwicklungskette mit spezialisiertem Know-how vorangebracht werden, ohne dass Homerun von Beginn an sämtliche Fähigkeiten selbst aufbauen müsste.
Besonders wichtig ist, dass das MOU ausdrücklich die Produktion von SiC-Substraten und -Wafern in Halbleiterqualität durch Homerun für eine mögliche Abnahme durch CEITEC vorsieht. Daraus ergibt sich ein direkter kommerzieller Weg: Sollte Homerun erfolgreich Wafer nach den Spezifikationen von CEITEC entwickeln und qualifizieren, sieht das MOU CEITEC ausdrücklich als möglichen Abnehmer dieser Produkte vor.
Brian Leeners, CEO von Homerun, hob hervor, wie die Zusammenarbeit den Rohstoffvorteil des Unternehmens mit der nachgelagerten Halbleiterfertigung in Brasilien verbinden könnte:
„Die Partnerschaft mit CEITEC, einem wichtigen Halbleiterhersteller in Brasilien, ermöglicht es uns, den Kreislauf einer lokalen, vertikal integrierten Lieferkette zu schließen. Indem wir unsere hochreinen Ausgangsmaterialien und schnellen Verarbeitungstechnologien mit CEITECs Fertigungs- und Validierungskompetenz zusammenbringen, positionieren wir Brasilien in einer Phase intensiven globalen Wettbewerbs um Lieferketten als bedeutenden Standort für fortschrittliche SiC-Substrattechnologien. Diese Zusammenarbeit ist darauf ausgerichtet, die natürlichen Rohstoffvorteile Brasiliens direkt in technologisch anspruchsvolle Deep-Tech-Halbleiterlösungen mit hohen Markteintrittsbarrieren zu überführen.“
Seine Aussagen verdeutlichen die übergeordnete Logik der Partnerschaft: Homerun verbindet einen seltenen hochreinen Ausgangsrohstoff mit fortschrittlicher Verarbeitung, Qualifizierung und einem etablierten Halbleiterhersteller innerhalb desselben Landes. Dadurch entsteht die Möglichkeit, einen vollständigeren heimischen Entwicklungspfad aufzubauen, bei dem Rohstoff, Verarbeitungskompetenz, Waferentwicklung, technische Validierung und eine mögliche zukünftige kommerzielle Nachfrage wesentlich enger miteinander verbunden sind als bei einem klassischen Rohstoffmodell. So könnten mehr technologisches Know-how, industrielle Kompetenz und wirtschaftliche Wertschöpfung in Brasilien verbleiben.
Auch CEITEC ordnet die Zusammenarbeit in einen ähnlich strategischen Zusammenhang ein. Edelweis Ritt, CMO von CEITEC, betonte sowohl die Neuausrichtung des Unternehmens auf SiC-Leistungsbauelemente als auch die Bedeutung einer stärkeren heimischen Wertschöpfung:
„CEITEC treibt als strategisches staatliches Halbleiterunternehmen Brasiliens seine technologische Neuausrichtung auf SiC-Leistungsbauelemente voran. Die Zusammenarbeit mit Homerun und dessen Arbeit an hochreinem Silicasand in Brasilien ist ein wichtiger Schritt auf dem Weg zu einer vertikal integrierten SiC-Wertschöpfungskette im Land und zur Stärkung der technologischen und industriellen Kompetenzen Brasiliens in einem Bereich, der für die Energiewende von strategischer Bedeutung ist.“
Ihre Aussagen sind besonders relevant, weil die Idee einer vertikal integrierten Wertschöpfungskette damit ausdrücklich von beiden Seiten getragen wird. CEITEC selbst stellt eine direkte Verbindung zwischen Homeruns Arbeit an hochreinem Silicasand und Brasiliens Ziel her, ein umfassenderes heimisches SiC-Ökosystem aufzubauen. Der Weg hin zu kommerziellen Substraten in Halbleiterqualität eröffnet für Homerun zugleich die nächste Stufe der technischen Entwicklung. Die hierfür erforderlichen Verarbeitungsschritte (v.a. fortschrittliche thermische Verfahren, Einkristallzüchtung und hochpräzise Waferbearbeitung) können entweder intern oder gemeinsam mit spezialisierten Technologiepartnern entwickelt werden.
Der besondere Wert der Zusammenarbeit liegt darin, dass Homerun diese technischen Anforderungen gemeinsam mit einem tatsächlichen Halbleiterhersteller definieren kann. CEITEC soll zudem die physische Validierung von Bauelementen auf Basis qualifizierter Substrate und Wafer unterstützen und dabei direktes technisches Feedback liefern, das wiederum in Homeruns Material- und Prozessentwicklung einfließen kann. Dadurch entsteht die Möglichkeit eines fortlaufenden Entwicklungsprozesses: Die Leistungsfähigkeit der Wafer wird getestet, die Ergebnisse fließen zurück und Material oder Verarbeitungsverfahren können daraufhin gezielt weiter optimiert werden.
Sollte sich die Zusammenarbeit zu konkreten Projekten entwickeln, könnte jeder einzelne Entwicklungsschritt dazu beitragen zu prüfen, ob sich Homeruns Rohstoffvorteil tatsächlich in wettbewerbsfähige fortschrittliche Halbleitermaterialien überführen lässt.
Dynamik am globalen Halbleitermarkt
Die Zusammenarbeit zwischen Homerun und CEITEC entsteht vor dem Hintergrund eines außergewöhnlich starken Halbleitermarktes.
- Laut der Semiconductor Industry Association erreichten die weltweiten Chipumsätze im 2. Quartal 2026 ca. 403,3 Mrd. USD und lagen damit 35,1% über dem 1. Quartal.
- Im Juli stiegen die weltweiten Monatsumsätze auf 146,8 Mrd. USD und hatten sich damit gegenüber dem Vorjahr mehr als verdoppelt.
- Die World Semiconductor Trade Statistics (WSTS) gehen inzwischen davon aus, dass der globale Halbleitermarkt 2026 ein Volumen von ca. 1,65 Billionen USD erreichen könnte, angetrieben durch KI-Infrastruktur, Hochleistungsrechnen, Speicherchips und eine insgesamt starke Halbleiternachfrage.
Für Homerun liegt die Bedeutung nicht allein in der Größe des Chipmarktes, sondern vor allem in der wachsenden strategischen Bedeutung jener Materialien und Fertigungskapazitäten, die dahinterstehen. Mit steigenden Spannungen, Temperaturen und Leistungsdichten gewinnt SiC in der Leistungselektronik zunehmend an Bedeutung, weil seine größere Bandlücke und besseren thermischen Eigenschaften Anwendungen ermöglichen, bei denen konventionelles Silizium zunehmend an Effizienz verliert.
Die Leistungsfähigkeit von SiC-Bauelementen hängt stark davon ab, was wesentlich früher in der Fertigungskette geschieht. SiC in Halbleiterqualität erfordert außergewöhnlich hohe Reinheit, streng kontrollierte Kristallzüchtung und sehr geringe Defektdichten. Damit gewinnen Qualität und Gleichmäßigkeit des Ausgangsmaterials zunehmend an Bedeutung.
Daraus könnte sich für Homerun ein möglicher Vorteil ergeben: Die hochreinen und eisenarmen Quarzsand-Vorkommen in Bahia bieten eine ungewöhnlich starke Ausgangsbasis, aus der zunehmend anspruchsvollere Silizium- und SiC-Materialien entwickelt werden könnten. Gleichzeitig steigt mit dem weltweiten Bestreben nach sichereren und geografisch stärker diversifizierten Halbleiter-Lieferketten auch der Wert der Kontrolle über hochreine Ausgangsmaterialien, fortschrittliche Verarbeitungstechnologien, Kristallzüchtung, Waferbearbeitung und heimische Fertigungsinfrastruktur.
Homeruns Strategie setzt deshalb deutlich früher in der Wertschöpfungskette an als beim fertigen Halbleiterbauelement, während CEITEC die Verbindung zur nachgelagerten Fertigung und technischen Validierung herstellt. Gemeinsam verbindet diese Zusammenarbeit einen seltenen brasilianischen Rohstoff mit fortschrittlicher Verarbeitung und Halbleiterfertigung innerhalb desselben Landes.
Sollte diese Entwicklung erfolgreich voranschreiten, könnte Brasilien dadurch mehr Kontrolle über mehrere Stufen einer Technologiekette gewinnen, die heute noch auf eine vergleichsweise kleine Zahl globaler Produzenten konzentriert ist.
CEITEC schafft die entscheidende industrielle Verbindung weiter unten in der Wertschöpfungskette
Mehrere Teile der Homerun-Story beginnen nun ineinanderzugreifen. Das Unternehmen verfügt über eine hochreine Quarzsand-Ressource in Brasilien, entwickelt fortschrittliche Reinigungstechnologien, untersucht zunehmend anspruchsvollere Produkte auf Silicasand-Basis und hat nun einen Kooperationsrahmen mit einem staatlichen Halbleiterunternehmen geschaffen, das sich auf SiC konzentriert. Diese einzelnen Bausteine beginnen sich zunehmend zu verbinden, anstatt sich unabhängig voneinander zu entwickeln.
Gleichzeitig investiert Brasilien mehr als 220 Mio. BRL in die SiC-Neuausrichtung von CEITEC, während Regierungen und große Halbleiterunternehmen in anderen Ländern Milliardenbeträge in denselben technologischen Wandel investieren.
Für den weltweiten Markt für Power-SiC wird bis zum Beginn des kommenden Jahrzehnts ein Volumen von rund 10 Mrd. USD erwartet. Neben Elektrofahrzeugen gewinnen dabei erneuerbare Energien, Energiespeicher, industrielle Anwendungen und KI-Infrastruktur zunehmend als wichtige Nachfragetreiber an Bedeutung.
Die technologischen Herausforderungen bleiben erheblich, insbesondere bei Reinheit in Halbleiterqualität, Kristallzüchtung, Waferqualität, Defektreduzierung und Kundenqualifizierung. Gerade diese hohen Eintrittsbarrieren erklären jedoch auch, warum ein erfolgreicher Aufstieg entlang der Wertschöpfungskette wirtschaftlich wesentlich bedeutsamer sein könnte als die reine Produktion von Silicasand.
Die entscheidende Frage lautet daher, wie weit Homerun seinen Quarzsand aus Bahia letztlich entlang der Wertschöpfungskette weiterentwickeln kann. Jeder erfolgreiche Schritt (von Silicasand über gereinigtes Material, Silizium, SiC und Kristalle bis hin zu Wafern) würde Homerun näher an Märkte heranführen, in denen technische Leistungsfähigkeit deutlich wichtiger ist als reine Tonnage. Gleichzeitig würde sich der Schwerpunkt des Geschäfts zunehmend von Rohstoffvolumen hin zu geistigem Eigentum, Prozess-Know-how, Qualifizierung und industriellen Partnerschaften verlagern.
Fazit
Die heute von Homerun verkündete Vereinbarung fügt einer Strategie, die inzwischen weit über das ursprüngliche Solarglas-Projekt hinausreicht, einen weiteren wichtigen Baustein hinzu. Solarglas bleibt kurzfristig die größte industrielle Chance des Unternehmens, während die zugrunde liegende hochreine Silicasand-Ressource zunehmend als Ausgangspunkt für mehrere weiterführende Material- und Technologiepfade positioniert wird.
Die Zusammenarbeit mit UC Davis öffnete die Tür zu fortschrittlichen Reinigungsverfahren. Homeruns breitere Technologiestrategie weitete sich anschließend auf Fused Silica, Silizium, Siliziumkarbid, Photonik und Halbleitermaterialien aus. Mit CEITEC entsteht nun eine Verbindung zwischen diesen vorgelagerten Ambitionen und Brasiliens staatlich unterstütztem SiC-Halbleiterprogramm. Dadurch wird die Materialentwicklung mit einem Unternehmen verknüpft, das deutlich weiter unten in der Halbleiter-Wertschöpfungskette tätig ist. Gleichzeitig erhält Homerun die Möglichkeit, künftige Materialien enger an den tatsächlichen Anforderungen der Halbleiterfertigung auszurichten. Besonders bemerkenswert ist dabei, dass das MOU ausdrücklich eine mögliche Abnahme durch CEITEC vorsieht. Entwicklung, Validierung und eine spätere kommerzielle Nachfrage könnten damit innerhalb derselben Partnerschaft zusammenlaufen.
Auch der Zeitpunkt ist bemerkenswert. SiC befindet sich derzeit in einer Phase intensiver globaler Investitionen, technologischer Skalierung und zunehmender Marktdifferenzierung. Die Branche bewegt sich in Richtung 200-mm-Wafer, Fahrzeugarchitekturen hin zu höheren Spannungen, erneuerbare Energien und Speichersysteme verlangen nach effizienterer Leistungsumwandlung und KI-Rechenzentren entwickeln sich rasant zu einem weiteren bedeutenden Markt für Leistungselektronik. Gleichzeitig investieren Hersteller massiv in neue Kapazitäten und fortschrittlichere Fertigungstechnologien. Regierungen in Brasilien, den USA und Europa behandeln Halbleiter-Lieferketten zunehmend als industriepolitisch strategisches Thema.
Für Homerun besteht die Chance darin, sich schrittweise näher an das fertige Halbleiterprodukt heranzubewegen und dadurch einen größeren Teil der entlang der Wertschöpfungskette entstehenden Wertschöpfung selbst zu erschließen. Zwischen hochreinem Quarzsand in Bahia und einem qualifizierten Halbleiterwafer liegt allerdings noch ein erheblicher technologischer Weg. Der Fortschritt wird davon abhängen, ob Verarbeitung, Kristallzüchtung, industrielle Partnerschaften und Qualifizierung erfolgreich umgesetzt werden können.
Genau in dieser Distanz liegt jedoch auch ein großer Teil des Wertschöpfungspotenzials. Die wirtschaftliche Bedeutung von Homeruns Quarzsand-Ressource könnte letztlich davon abhängen, wie oft und wie weit sich das Material veredeln lässt, bevor es den Endkunden erreicht.
Für Homerun sieht Quarzsand damit zunehmend weniger wie das Endprodukt aus – und immer mehr wie der Ausgangspunkt.
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Stephan Bogner
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Zu den zukunftsgerichteten Aussagen in diesem Bericht zählen unter anderem Aussagen, Interpretationen, Schlussfolgerungen, strategische Beobachtungen und analytische Einschätzungen zu den hochreinen Siliziumdioxid-Ressourcen von Homerun Resources Inc. in Bahia, Brasilien, zum Memorandum of Understanding mit CEITEC S.A., zur möglichen Entwicklung, Produktion und Qualifizierung von Siliziumkarbid-(SiC)-Materialien, Substraten und Wafern sowie zu Homeruns übergeordneter Strategie, sein Siliziumdioxid in höherwertige Halbleiter- und Advanced-Materials-Anwendungen weiterzuentwickeln. Zu den zukunftsgerichteten Aussagen gehören insbesondere Erwartungen hinsichtlich der Fähigkeit von Homerun und CEITEC, konkrete technische Arbeitsprogramme im Rahmen des MOU zu entwickeln; der Fähigkeit, Homeruns Siliziumdioxid zu Silizium, hochreinen SiC-Materialien, SiC-Kristallen, Substraten oder Wafern weiterzuverarbeiten; der Eignung solcher Materialien für Halbleiteranwendungen sowie der Fähigkeit, jene Reinheit, Kristallqualität, Defektdichte, Konsistenz, Ausbeute, Leistungsfähigkeit und Kostenstruktur zu erreichen, die von Halbleiterherstellern verlangt werden. Aussagen über die potenzielle Rolle von CEITEC bei der Bereitstellung technischer Spezifikationen, Fertigungskompetenz, Validierung oder anderer Unterstützung sowie Aussagen über Homeruns mögliche Rolle bei der Entwicklung oder Koordination von Rohstoffverarbeitung und Fertigungsschritten im Zusammenhang mit SiC-Substraten und -Wafern in Halbleiterqualität sind ebenfalls zukunftsgerichtet. Das MOU sieht ausdrücklich die mögliche Produktion von SiC-Substraten und -Wafern in Halbleiterqualität durch Homerun zur Abnahme durch CEITEC vor. Es handelt sich jedoch nicht um einen endgültigen kommerziellen Abnahmevertrag und es gibt keine Gewähr dafür, dass daraus qualifizierte kommerzielle Produkte, verbindliche Kaufverpflichtungen oder Umsätze entstehen. Auch Aussagen darüber, dass Homerun schrittweise weiter in der Halbleiter-Wertschöpfungskette vordringen, einen größeren Teil der wirtschaftlichen Wertschöpfung seiner Siliziumdioxid-Ressourcen in Brasilien halten, heimische Verarbeitungskapazitäten aufbauen oder an Brasiliens wachsender Halbleiterindustrie teilnehmen könnte, sind zukunftsgerichtet. Solche Entwicklungen hängen unter anderem von erfolgreicher technischer Entwicklung, dem Zugang zu spezialisierten Anlagen und Fachwissen, Fertigungspartnerschaften, Qualifizierung, Kundenakzeptanz, Finanzierung und kommerzieller Umsetzung ab. Aussagen zur brasilianischen Halbleiterpolitik, zur Modernisierung von CEITEC, zur staatlichen Unterstützung von Siliziumkarbid-Technologien und zum möglichen Aufbau eines breiteren heimischen Halbleiter-Ökosystems beruhen auf öffentlich verfügbaren Informationen sowie aktuellen staatlichen und industriellen Initiativen. Es kann keine Gewähr dafür übernommen werden, dass Fördervolumen, industriepolitische Maßnahmen, strategische Prioritäten, Umsetzungszeiträume oder staatliche Programme in der derzeit vorgesehenen Form fortgeführt werden. Aussagen über das zukünftige Wachstum von SiC-Leistungselektronik, Elektrofahrzeugen, Ladeinfrastruktur, erneuerbaren Energiesystemen, Energiespeichern, industriellen Anwendungen, KI-Rechenzentren und anderen Endmärkten beruhen auf Prognosen Dritter und öffentlich verfügbaren Informationen. Solche Prognosen sind grundsätzlich mit Unsicherheiten behaftet. Tatsächliches Marktwachstum, Kapazitätsauslastung, Preise, Technologieadoption und Wettbewerbsbedingungen können wesentlich von den heutigen Erwartungen abweichen. Risiken bei technischer Entwicklung und Skalierung: Die Entwicklung von SiC-Materialien, Substraten und Wafern in Halbleiterqualität ist technisch hochkomplex. Der angestrebte Entwicklungsweg kann unter anderem die Reinigung von Siliziumdioxid, Siliziumproduktion, SiC-Synthese, Kristallzüchtung, Boule-Aufbereitung, Wafer-Sägen, Polieren, Epitaxie und anschließende Halbleiterfertigung umfassen. Es kann keine Gewähr dafür übernommen werden, dass Homerun, CEITEC oder zukünftige Technologiepartner diese Prozesse erfolgreich entwickeln, integrieren oder skalieren können oder dabei kommerziell akzeptable Reinheit, Kristallqualität, Ausbeute, Defektniveaus, Konsistenz oder Produktionskosten erreichen. Risiken bei Materialqualität und Qualifizierung: SiC in Halbleiterqualität erfordert äußerst anspruchsvolle Materialspezifikationen. Kristalldefekte, Verunreinigungen, Waferqualität, Oberflächenbearbeitung und Prozessstabilität können Leistung, Zuverlässigkeit und Fertigungsausbeute von Halbleitern beeinflussen. Homerun hat bislang keine kommerzielle Produktion von SiC-Substraten oder -Wafern in Halbleiterqualität nachgewiesen. Es kann daher keine Gewähr dafür übernommen werden, dass aus den Siliziumdioxid-Ressourcen des Unternehmens hergestellte Materialien letztlich die Anforderungen von CEITEC oder anderen Halbleiterherstellern über unterschiedliche Bauelementtypen und Betriebsbedingungen hinweg erfüllen werden. Eine kommerzielle Nutzung würde weitere Tests, Validierung und Qualifizierung erfordern. Qualifizierungszyklen in der Halbleiterindustrie können langwierig sein, und eine erfolgreiche technische Entwicklung führt nicht zwangsläufig zu Kundenakzeptanz oder kommerziellen Aufträgen. Risiken der Zusammenarbeit mit CEITEC: Die Zusammenarbeit mit CEITEC basiert derzeit auf einem Memorandum of Understanding und befindet sich noch in einem frühen Stadium. Zukünftige Aktivitäten können von weiteren technischen Programmen, Vereinbarungen, Finanzierung, Zugang zu Anlagen, Personalverfügbarkeit und der Abstimmung zwischen den Parteien abhängen. Es kann keine Gewähr dafür übernommen werden, dass die Zusammenarbeit zu kommerzieller Produktion, Liefervereinbarungen, Joint Ventures, Umsätzen oder anderen wirtschaftlichen Vorteilen für Homerun führen wird. CEITEC ist ein staatliches brasilianisches Unternehmen. Seine Aktivitäten, Finanzierung und strategischen Prioritäten können daher von Regierungspolitik, öffentlichen Budgets sowie übergeordneten politischen oder industriepolitischen Zielsetzungen beeinflusst werden. Markt- und Wettbewerbsrisiken bei Siliziumkarbid: Die globale SiC-Industrie ist technologisch anspruchsvoll, kapitalintensiv und stark umkämpft. Etablierte Produzenten verfügen über umfangreiche Erfahrung in Kristallzüchtung, Substratherstellung, Epitaxie, Halbleiterfertigung und Kundenqualifizierung. Homerun könnte mit vertikal integrierten Halbleiterunternehmen, etablierten Substratherstellern und anderen Advanced-Materials-Anbietern konkurrieren, die über deutlich größere technische, finanzielle und industrielle Ressourcen verfügen. Obwohl langfristig mit wachsender SiC-Nachfrage gerechnet wird, hat die Branche auch Phasen starken Kapazitätsausbaus, Preisdrucks und niedrigerer Auslastung erlebt. Marktwachstum allein garantiert keine attraktiven wirtschaftlichen Ergebnisse für einzelne Produzenten. Der kommerzielle Erfolg wird von Kostenwettbewerbsfähigkeit, Produktqualität, Ausbeute, Skalierung, Differenzierung und Kundenakzeptanz abhängen. Kapital-, Partnerschafts- und Umsetzungsrisiken: Der Schritt von hochreinem Siliziumdioxid hin zu SiC-Substraten und -Wafern in Halbleiterqualität kann erhebliche zusätzliche technische Entwicklungsarbeit, Spezialausrüstung, Kapitalinvestitionen und die Zusammenarbeit mit externen Technologie- und Fertigungspartnern erfordern. Homerun könnte bestimmte Verarbeitungskompetenzen selbst aufbauen müssen, während andere über externe Spezialisten bereitgestellt werden. Es kann keine Gewähr dafür übernommen werden, dass geeignete Partner, Technologien, Anlagen oder Finanzierungen zu akzeptablen Bedingungen verfügbar sein werden oder dass geplante Entwicklungsprogramme entsprechend den heutigen Erwartungen, Zeitplänen oder Budgets umgesetzt werden können. Risiken der brasilianischen Industriestrategie und Lieferkette: Aussagen über eine mögliche Rolle Homeruns bei der Stärkung der brasilianischen Halbleiter-Lieferkette, bei höherer heimischer Wertschöpfung oder bei einer Verringerung der Abhängigkeit von importierten Halbleitertechnologien stellen strategische Interpretationen auf Grundlage aktueller öffentlicher Initiativen dar. Es kann keine Gewähr dafür übernommen werden, dass sich Brasiliens Industriepolitik, Förderprogramme, Anreizsysteme oder Beschaffungsprioritäten in einer für Homerun günstigen Weise entwickeln. Der Aufbau einer umfassenderen heimischen SiC-Wertschöpfungskette würde Kompetenzen erfordern, die weit über Rohstoffe hinausgehen, darunter Kristallzüchtung, Waferbearbeitung, Epitaxie, Bauelementfertigung, Packaging, Tests und Qualifizierung. Einige dieser Fähigkeiten müssten möglicherweise erst aufgebaut oder über externe Partner erschlossen werden. Kommerzialisierungsrisiken: Es kann keine Gewähr dafür übernommen werden, dass Homerun erfolgreich kommerzielle SiC-Materialien, Substrate oder Wafer in Halbleiterqualität produzieren, Kundenbeziehungen aufbauen, wettbewerbsfähige Produktionskosten erreichen oder aus den in diesem Bericht beschriebenen Anwendungen Umsätze erzielen wird. Technische Machbarkeit, kommerzielle Wirtschaftlichkeit und Marktakzeptanz müssen erst noch nachgewiesen werden. Der potenzielle wirtschaftliche Wert einer Weiterentwicklung von Homeruns Siliziumdioxid entlang der Halbleiter-Wertschöpfungskette ist daher zum gegenwärtigen Zeitpunkt spekulativ und hängt von der erfolgreichen Erreichung zahlreicher technischer und kommerzieller Meilensteine ab. Zukunftsgerichtete analytische Einschätzungen: Dieser Bericht enthält unabhängige Analysen und Interpretationen des Autors auf Grundlage öffentlich verfügbarer Informationen. Aussagen über die strategische Bedeutung der Zusammenarbeit mit CEITEC, die mögliche Bedeutung der Halbleiterinfrastruktur von CEITEC, die Relevanz der brasilianischen SiC-Investitionen, Homeruns Fähigkeit, sein Siliziumdioxid in höherwertige Halbleitermaterialien weiterzuentwickeln, die möglichen Vorteile einer stärkeren heimischen Wertschöpfung sowie die wirtschaftliche Bedeutung eines weiteren Vordringens entlang der Halbleiter-Wertschöpfungskette stellen analytische Einschätzungen und keine Tatsachenbehauptungen dar. Aussagen, wonach Homeruns Siliziumdioxid-Ressource als Ausgangspunkt für eine breitere Advanced-Materials-Strategie dienen könnte oder das Unternehmen künftig an SiC-Substrat-, Wafer- oder Halbleiter-Lieferketten teilnehmen könnte, sind zukunftsgerichtet und unterliegen den oben beschriebenen technischen, finanziellen, kommerziellen und operativen Risiken. Solche Einschätzungen sind naturgemäß subjektiv und dürfen nicht als Garantie für technischen Erfolg, kommerzielle Produktion, Kundenqualifizierung, kommerzielle Vereinbarungen, Marktakzeptanz, Wettbewerbsvorteile, Finanzierung, Profitabilität, Wertsteigerungen für Aktionäre oder zukünftige Börsenentwicklung verstanden werden. Entsprechend sollten Leser zukunftsgerichteten Informationen kein unangemessenes Gewicht beimessen. Tatsächliche Ergebnisse können wesentlich von den ausdrücklich oder implizit in diesem Bericht dargestellten Erwartungen abweichen. 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